PL Mapping光致发光扫描系统

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石墨烯纳米材料
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PL Mapping 光致发光扫描系统

 

PL Mapping光致发光扫描系统

 

应用领域:

常规的光致发光测量;
III-V族化合物半导体材料光致发光测量;
荧光性;
LD, LED外延晶片PL扫描测量;

仪器特点:

高品质及中等价位的PL扫描系统(高性价比);
波长范围宽广(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um);
噪声低,高PL信号探测;
设计紧凑,易于调谐;
各种激发激光源可选;
易于发现峰及FWHM;

仪器规格:

1 、光致发光样品腔
10x M-Plan镜头颜色修正,波长范围:350-1800nm
工作距离:30.5mm, 20mm FL, z轴可调
系统空间分辨率:10微米(1微米选配)
镜子带孔洞作为激光束及PL信号的通道
Iris光圈用于激光束的调整
可变ND过滤器用于激光能量的控制(99% to 2%)
10毫米孔洞PL信号校准镜头
马达控制的XY台,最大速度30毫米/秒,1微米扫描分辨率
外延晶片样品盘
包括高分辨控制器和电缆

2、IG512近红外光谱仪,900-1700nm, 512像素, InGaAs阵列
25um x 500um像素尺寸,14bits, 2.5MHz数字转换器, f/4, 40mm FL
探测范围:900nm全谱,300gr/mm, 1um blaze grating
包括SMA905, 400um多模光纤,1米长

3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可见光,衍射光栅光谱仪
f/4, symX-Czerny-turner类型
分辨率:1.6nm (50um狭缝,@600gr/mm grating)
包括2048像素CCD探测器,12bit数字转换器
600gr/mm grating
接口:USB-2.0
SMA905光纤光学输入,0.22NA,400um多模光纤,1米长

4、激光器
LDM830100CWA 830nm Solid State Laser
FKL532.50.CWA.L 532nm Solid State Laser
IK3501R-G, 325nm HeCd Laser
Other lasers wavelength(s) (e.g. 266nm, 488nm, 405nm, 514nm, 785nm)

PL Mapping光致发光扫描系统


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